Отсутствие высокой плотности радиации φ1.5x5mm данной допинг церием GAGG штаног собственной личности

Все продукты

ТГГ Кристл (70)

Кристалл ТСАГ (11)

Ce LUAG Кристл (15)

GAGG Кристл (12)

Nd YAG Кристл (35)

LGS Кристл (18)

Нелинейные кристаллы (6)

GGG Кристл (15)

SGGG Кристл (12)

LaAlO3 Кристл (15)

Субстрат одиночного Кристл (17)

Переключатель EO q (10)

Оптически амортизатор (15)

Вращатель Фарадея (8)

Ниобат Кристл лития (9)

Кристалл tantalate лития (11)

Сертификация

Китай ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

Отсутствие высокой плотности радиации φ1.5x5mm данной допинг церием GAGG штаног собственной личности

Большие изображения : Отсутствие высокой плотности радиации φ1.5x5mm данной допинг церием GAGG штаног собственной личности

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	КИТАЙ
Фирменное наименование:	Crystro
Сертификация:	ROHS
Номер модели:	1GAGG1.5*5-E

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	1 ЧАСТЬ
Цена:	negotiable
Упаковывая детали:	Коробка коробки
Время доставки:	3-4 недель
Условия оплаты:	T/T, западное соединение, MoneyGram, PayPal
Поставка способности:	100 ПК в неделю

контакт

Подробное описание продукта

Химическая формула:	Се: Гд3Ал2Га3О12	метод роста:	Кзокральски
Атомный номер:	54,4	Размер:	φ1.5*5mm
Плотность:	6.63г/км3	Точка плавления:	1850℃
Твердость Mohs:	8,0	Водоемкий:	НЕТ
Выделить:	GAGG данное допинг церием штанги , 5mm GAGG штанги , Церий дал допинг кристаллу cagg

Разрешение высокой энергии φ1.5*5mm Цери-дало допинг GAGG Кристл штангам

Введение:

Церий дал допинг поликомпонентным кристаллам венисы галлия алюминия гадолиния названным Ce: GAGG с химической формулой Ce: Gd3Al2Ga3O12. Оно одно из самых ярких доступных scintillators с пиком излучения на 520nm. GAGG (Ce) имеет хорошую задерживающую способность, физически изрезанно, и хорошо одетое к широкому диапозону применения:

Медицинское отображение - ЛЮБИМЕЦ, PEM, SPECT, и CT
Применения специалиста в высокой энергии, ядерный, космосе, и медицинской физике
Просматривая электронная микроскопия (SEM)

Главные преимущества:

Высокий выход
Разрешение высокой энергии
Высокая плотность
Отсутствие само-радиации
Отсутствие отпуска влаги

Основные свойства:

Свойство	Значение
Химическая формула	Ce: Al₂ Ga₃ o₁₂ Gd₃
Атомный номер (эффективный)	54,4
Метод роста	Czochralski
Плотность	6.63g/cm3
Твердость Mohs	8
Точка плавления	1850℃
Coeff теплового расширения.	TBA x ⁶ 10 ‾

Crystro предлагает:

Допуск ориентации	<0.5°
Допуск толщины/диаметра	±0.05mm
Параллельный	30"
Перпендикуляр	15'
Качество поверхности	10/5
Ясная апертура	>90%
Скосите	<0.1*45°
Максимальные размеры	MaxΦ 60mm

Отсутствие высокой плотности радиации φ1.5x5mm данной допинг церием GAGG штаног собственной личности 0

тег:

Контактное лицо: Zheng

Телефон: +86 18255496761

Факс: 86-551-63840588

Другие продукты

Материал Gd3Al2Ga3O12 GAGG Кристл Scintillator для спектрометрирования гамма-луча

Название продукта: GAGG (Ce)

Химическая формула: Ce: Gd3Al2Ga3O12

Размер: 27*27*2mm

Метод роста: Czochralski

Ce GAGG Кристл D6*8mm химический стабилизированный одиночного Кристл Scintillators

Название продукта: Се: ГАГГ

Химическая формула: Се: Гд3Ал2Га3О12

Размеры: Dia6*8mm

метод роста: Кзокральски

Кристаллы Scintillator материальным Gd3Al2Ga3O12 данные допинг церием GAGG

Название продукта: Цери-данное допинг GAGG

Химическая формула: Се: Гд3Ал2Га3О12

метод роста: Кзокральски

Плотность: 6.63г/км3

высокая плотность данная допинг Ce Singel кристаллов 10*10*0.5mm GAGG Scintillators

название продукта: Ce дал допинг GAGG

Химическая формула: Се: Гд3Ал2Га3О12

метод роста: Кзокральски

Плотность: 6.63г/км3

Высокий Ce материала сцинтилляции выхода: Gd3Al2Ga3O12 GAGG одиночное Кристл

Химическая формула: Се: Гд3Ал2Га3О12

метод роста: Кзокральски

Плотность: 6.63г/км3

Точка плавления: 1850℃