Кристаллы Scintillator материальным Gd3Al2Ga3O12 данные допинг церием GAGG

Все продукты

ТГГ Кристл (70)

Кристалл ТСАГ (11)

Ce LUAG Кристл (15)

GAGG Кристл (12)

Nd YAG Кристл (35)

LGS Кристл (18)

Нелинейные кристаллы (6)

GGG Кристл (15)

SGGG Кристл (12)

LaAlO3 Кристл (15)

Субстрат одиночного Кристл (17)

Переключатель EO q (10)

Оптически амортизатор (15)

Вращатель Фарадея (8)

Ниобат Кристл лития (9)

Кристалл tantalate лития (11)

Сертификация

Китай ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

Кристаллы Scintillator материальным Gd3Al2Ga3O12 данные допинг церием GAGG

Большие изображения : Кристаллы Scintillator материальным Gd3Al2Ga3O12 данные допинг церием GAGG

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	КИТАЙ
Фирменное наименование:	Crystro
Сертификация:	ROHS
Номер модели:	1Ce: GAGG10100.5-B

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	1 ЧАСТЬ
Цена:	negotiable
Упаковывая детали:	Коробка коробки
Время доставки:	3-4 недель
Условия оплаты:	T/T, западное соединение, MoneyGram, PayPal
Поставка способности:	100 ПК в неделю

контакт

Подробное описание продукта

Название продукта:	Цери-данное допинг GAGG	Химическая формула:	Се: Гд3Ал2Га3О12
метод роста:	Кзокральски	Плотность:	6.63г/км3
Атомный номер:	54,4	Твердость Mohs:	8,0
Точка плавления:	1850℃	Водоемкий:	НЕТ
Выделить:	Данные допинг церием кристаллы GAGG , Неорганические кристаллы GAGG , Неорганическое scintillator ISO9001

Новое неорганическое scintillator Цери-дало допинг Gd3Al2Ga3O12 кристаллам Ce GAGG

Введение:

Gd3Al2Ga3O12 (Ce: GAGG) новое неорганическое scintillator известное за свои привлекательные свойства как высокий светлый выход, высокая плотность, и относительно быстрое время разложения. Gd3Al2Ga3O12 (Ce: GAGG) новое неорганическое scintillator известное за свои привлекательные свойства как высокий светлый выход, высокая плотность, и относительно быстрое время разложения.

Кристалл GAGG обыкновенно используемый для обнаружения с высокой энергией фотонов и частиц. Смогло быть новым материалом scintillator для таких применений как компьютерная томография рентгеновского снимка (CT), томография излучения поситрона (ЛЮБИМЕЦ), и другие методы медицинского отображения, так же, как в высокой энергии и ядерной физике.

Главные преимущества:

Высокий выход
Разрешение высокой энергии
Высокая плотность
Отсутствие само-радиации
Отсутствие отпуска влаги

Главная программа:

Медицинское отображение - ЛЮБИМЕЦ, PEM, SPECT, и CT
Применения специалиста в высокой энергии, ядерный, космосе, и медицинской физике
Просматривая электронная микроскопия (SEM)

Основные свойства:

Свойство	Значение
Химическая формула	Ce: Al₂ Ga₃ o₁₂ Gd₃
Атомный номер (эффективный)	54,4
Метод роста	Czochralski
Плотность	6.63g/cm3
Твердость Mohs	8
Точка плавления	1850℃
Coeff теплового расширения.	TBA x ⁶ 10 ‾

Crystro предлагает:

Допуск ориентации	<0.5°
Допуск толщины/диаметра	±0.05mm
Параллельный	30"
Перпендикуляр	15'
Качество поверхности	10/5
Ясная апертура	>90%
Скосите	<0.1*45°
Максимальные размеры	MaxΦ 60mm

Кристаллы Scintillator материальным Gd3Al2Ga3O12 данные допинг церием GAGG 0

тег:

Контактное лицо: Chen Dongdong

Телефон: +86 18326013523

Факс: 86-551-63840588

Другие продукты

Материал Gd3Al2Ga3O12 GAGG Кристл Scintillator для спектрометрирования гамма-луча

Название продукта: GAGG (Ce)

Химическая формула: Ce: Gd3Al2Ga3O12

Размер: 27*27*2mm

Метод роста: Czochralski

Ce GAGG Кристл D6*8mm химический стабилизированный одиночного Кристл Scintillators

Название продукта: Се: ГАГГ

Химическая формула: Се: Гд3Ал2Га3О12

Размеры: Dia6*8mm

метод роста: Кзокральски

высокая плотность данная допинг Ce Singel кристаллов 10*10*0.5mm GAGG Scintillators

название продукта: Ce дал допинг GAGG

Химическая формула: Се: Гд3Ал2Га3О12

метод роста: Кзокральски

Плотность: 6.63г/км3

Отсутствие высокой плотности радиации φ1.5x5mm данной допинг церием GAGG штаног собственной личности

Химическая формула: Се: Гд3Ал2Га3О12

метод роста: Кзокральски

Атомный номер: 54,4

Размер: φ1.5*5mm

Высокий Ce материала сцинтилляции выхода: Gd3Al2Ga3O12 GAGG одиночное Кристл

Химическая формула: Се: Гд3Ал2Га3О12

метод роста: Кзокральски

Плотность: 6.63г/км3

Точка плавления: 1850℃