|
Подробная информация о продукте:
Оплата и доставка Условия:
|
| Имя продукции: | Замененная вениса галлия гадолиния | Химическая формула: | Гд2.6Ка0.4Га4.1Мг0.25Зр0.65О12 |
|---|---|---|---|
| Параметр Латтик: | а=12.497Å | метод роста: | Кзокральски |
| Плотность: | 7.09г/км3 | Твердость Mohs: | 7,5 |
| Точка плавления: | 1730℃ | Р.И.: | 1,954 на 1064нм |
| Высокий свет: | Субстрат SGGG оптически,Оптически субстрат SGGG Кристл,7.09g/cm3 оптически SGGG Кристл |
||
Субстрат GGG, субстраты венисы галлия гадолиния для магнитооптического фильма
Введение:
Кристалл SGGG одиночный, (заменил венису галлия гадолиния) растется методом Czochralski. Субстрат SGGG превосходен для для расти висмут-замененные эпитаксиальные пленки венисы утюга.
Основные свойства:
| Имя | Замененное GGG |
| Кристаллическая структура | Кубический |
| Параметр Lattic | a=12.497Å |
| Метод роста | Czochralski |
| Плотность | 7.09g/cm3 |
| Твердость Mohs | 7,5 |
| Точка плавления | 1730℃ |
| R.I. | 1,954 на 1064nm |
CRYSTRO предлагает:
| Размер | МАКСИМАЛЬНЫЙ Dia 4 дюйма |
| Tickness | 0.5mm/1mm |
| Полировать | Одиночная или двойная сторона |
| Ориентация | <111>±0.2° |
| Точность ориентации края | 2° (экстренныйый выпуск в 1°) |
| Вырезывание | Особенные размер и ориентация доступны по требованию |
| Ра | ≤1nm |
| Пакет |
100 чистых сумок, 1000 точно чистых сумок
|
Контактное лицо: Zheng
Телефон: +86 18255496761
Факс: 86-551-63840588
Кристаллы приборов TGG одиночные Кристл Dia 76mm Фарадей магнитооптические
Кристаллы большое TGG Кристл Dia 100mm Boubles магнитооптические
Амортизатор Кристл магнитооптическое TSAG Кристл лазера Фарадея волокна
Кристаллы вращателя и амортизатора TSAG Фарадея магнитооптические
Вениса TSAG Кристл штанги магнитооптического скандия тербия кристаллов алюминиевая
СИД кристаллов сцинтилляции венисы Alluminium лутеция освещая Ce LUAG Кристл
Высокая плотность сверкая материальный Ce LUAG Кристл венисы алюминия лутеция
Церий Scintilation материальный дал допинг Ce LUAG Кристл венисы лутеция алюминиевому
